NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMN3025LSS
DMN3052LSS
24
1,000
20
16
12
8
4
T A = 25°C
900
800
700
600
500
400
300
200
100
C iss
C oss
f = 1MHz
0
0.4
0.6 0.8 1 1.2
0
0
C rss
4 8 12 16 20
24
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 96°C/W
P(pk)
t 1
t 2
-T
/t
0.001
0.00001
DMN3052LSS
Document number: DS31583 Rev. 5 - 3
4 of 6
www.diodes.com
December 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMN3110S-7 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
DMN3112S-7 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
DMN3112SSS-13 MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
DMN3115UDM-7 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
DMN3135LVT-7 MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26
DMN3150L-7 MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
DMN3150LW-7 MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
DMN3200U-7 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
相关代理商/技术参数
DMN3070SSN-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 30V 4.2A, SC59 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CH MOSFET
DMN3110S 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 30V 3.3A SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.3A, SOT23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 3.3A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:740mW; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
DMN3110S-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3112S 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN3112S-7 功能描述:MOSFET 1.4W 30V 5.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3112SQ-7 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input Capacitance
DMN3112SSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3112SSS-13 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube